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銦鎵砷 InGaAs 四象限探測接收模塊 1550nm  2021-09-07

GD4516YB 是一款高靈敏度大光敏元四象限光電探測模塊,其采用 InGaAs 四象限 APD 芯片與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。

產品型號
縱向   橫向
型號 貨號 操作 名稱
GD4516YB E80040118
銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊   [PDF] 工作波長 1550nm;光敏面直徑 800um;電壓響應度 5 MV/W; 象限間隔 50um;光敏材料 InGaAs 價格 : ¥15000.00 庫存:0
6-8 周
GD4516YA E80040119
銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏四象限 PD芯片 探測接收模塊   [PDF] 工作波長 1550nm;光敏面直徑 1200um;電壓響應度 500 KV/W; 象限間隔 12um;光敏材料 InGaAs 價格 : ¥15000.00 庫存:0
6-8 周
產品特點

● 正照平面型芯片結構

● 象限間隔小、象限間串擾低

● 增益均勻性高

● 內部集成 TEC 與溫度傳感器

● 空間光輸入

技術參數

測試條件:TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V,VAPD=VBR-3V,λ= 1.55μm。

參數名稱

最小值

典型值

最大值

單位

工作波長

-

1550

-

nm

光敏面直徑

-

800

-

um

象限間隔

-

50

-

um

-3dB 帶寬

-

2

-

MHz

最大線性輸出電壓幅度

-

3

-

Vpp

交流串擾

-

-

5%

-

電壓響應度

5

-

-

MV/W

增益一致性

-

-

5%


輸入等效噪聲功率@2M

-

-

0.15

pW/√Hz


絕對最大額定值

測試條件:TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V, λ= 1.55μm。

參數名稱

額定值

單位

貯存溫度范圍 TSTG

-55~+100

工作溫度范圍 TC

-30~+70

焊接溫度   Tp

260(10s)

TEC 電壓 VTEC

7.4±0.74

V

TEC   電流 ITEC

3.2±0.32

A

熱敏電阻阻值 Rth

10

工作電壓   VCC

±5(±0.1)

V



熱敏電阻阻-溫特性表

xx1.jpeg

產品符合 GJB 8120-2013《半導體光電模塊通用規范》。

貯存使用要求:

儲存和使用

● 器件應儲存在溫度為-10°C~+40°C和相對濕度不大于80%的通風、無腐蝕性氣體影響的潔

凈環境。

● 儲存和使用過程避免外來物理損壞。

靜電防護

● 產品為靜電敏感器件,在取放、安裝過程必須采取相應的靜電防護措施,如焊裝工具良好接地、人員佩戴防靜電手腕,穿戴防靜電服、工作臺上鋪設防靜電桌布等。

● 器件安裝、上電

● 使用器件時,首先接地,然后開啟電源;關閉器件時,首先移除光源,然后斷開電源。

● 器件應用時參數設計不應超過其最大額定值。

● 器件測試安裝應輕拿輕放,避免引線針及光纖折損。

通用參數

封裝外形、尺寸及引腳定義(單位:mm;公差:±0.05mm)

2345截圖20210522103440.jpeg

附表1 引腳定義

引腳

定義

引腳

定義

1

TEC+

8

VCC

2

OUT2

9

OUT4

3

TEC-

10

GND

4

GND

11

VEE

5

/

12

OUT1

6

OUT3

13

R-

7

GND

14

R+

產品應用

● 激光定位

● 激光通信

● 捕獲、跟蹤

● 激光制導










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